Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD50R3K0CEBTMA1
IPD50R3K0CEBTMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPD50R3K0CEBTMA1

Номер детали производителя IPD50R3K0CEBTMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Упаковка PG-TO252-3
В наличии 5615 pcs
Техническая спецификация IPx50R3K0CEPart Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Devices EOL 31/Aug/2017
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5615 Infineon Technologies IPD50R3K0CEBTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 30µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3
Серии CoolMOS™ CE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 400mA, 13V
Рассеиваемая мощность (макс) 18W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 84 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 4.3 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.7A (Tc)
Базовый номер продукта IPD50R

Рекомендуемые продукты

IPD50R3K0CEBTMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация