Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD50P03P4L11ATMA2
IPD50P03P4L11ATMA2 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPD50P03P4L11ATMA2

Номер детали производителя IPD50P03P4L11ATMA2
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Упаковка PG-TO252-3-11
В наличии 119240 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Assem/DS Rev 4/Oct/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.634 $0.566 $0.442 $0.365 $0.288
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 119240 Infineon Technologies IPD50P03P4L11ATMA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 85µA
Vgs (макс.) +5V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3-11
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 58W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3770 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Базовый номер продукта IPD50

Рекомендуемые продукты

IPD50P03P4L11ATMA2 DataSheet PDF

Техническая спецификация