IPD50N12S3L15ATMA1
| Номер детали производителя | IPD50N12S3L15ATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CHANNEL_100+ |
| Упаковка | PG-TO252-3-11 |
| В наличии | 6606 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev EOL 30/Sep/2022Wafer Test Add 27/Apr/2017 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6606 Infineon Technologies IPD50N12S3L15ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.4V @ 60µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-11 |
| Серии | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 100W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 7180 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 120 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD50 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD50R280CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252Infineon Technologies -
IPD50P04P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S3L-06
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD50R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S3L-08
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD50P03P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N06S409ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N08S413ATMA1
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S409ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50P04P413ATMA1
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S4L12ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N06S4L08ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD50N06S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50P04P413ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N06S4L12ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11Infineon Technologies -
IPD50P03P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50P04P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R1K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R280CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3Infineon Technologies