IPD600N25N3GATMA1
Номер детали производителя | IPD600N25N3GATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3 |
В наличии | 75091 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.204 | $1.082 | $0.886 | $0.754 | $0.636 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 75091 Infineon Technologies IPD600N25N3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 136W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2350 pF @ 100 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 250 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 25A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD600 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD5N03LAG
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60N10S412ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R180P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60N10S4L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R800CEAUMA1
CONSUMERInfineon Technologies -
IPD530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R145CFD7ATMA1
MOSFET N CHInfineon Technologies -
IPD50R800CEATMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252Infineon Technologies -
IPD60R180P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3Infineon Technologies -
IPD600N25N3GBTMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R950CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD530N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R170CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R800CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252Infineon Technologies -
IPD50R950CEAUMA1
CONSUMERInfineon Technologies -
IPD5N25S3430ATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R180C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R950CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3Infineon Technologies