IPD60N10S4L12ATMA1
Номер детали производителя | IPD60N10S4L12ATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3-313 |
В наличии | 127159 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Assembly Chg 4/Oct/2018 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.678 | $0.609 | $0.49 | $0.402 | $0.333 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 127159 Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.1V @ 46µA |
Vgs (макс.) | ±16V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-313 |
Серии | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 60A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 94W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3170 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 60A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD60N10 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD600N25N3GBTMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R180P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R180C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R1K4C6
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
CONSUMER PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R950CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD5N25S3430ATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60N10S412ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R170CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3Infineon Technologies -
IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3Infineon Technologies -
IPD60R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252Infineon Technologies -
IPD60R145CFD7ATMA1
MOSFET N CHInfineon Technologies -
IPD60R180P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R950CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD5N03LAG
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD530N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R950CEAUMA1
CONSUMERInfineon Technologies -
IPD530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3Infineon Technologies