IPD50R399CP
| Номер детали производителя | IPD50R399CP |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3-11 |
| В наличии | 6208 pcs |
| Техническая спецификация | IPD50R399CPPart Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6208 Infineon Technologies IPD50R399CP в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-11 |
| Серии | CoolMOS™ CP |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 4.9A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 83W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 890 pF @ 100 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 500 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD50R |
Рекомендуемые продукты
-
IPD50R520CP
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R380CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R280CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R500CE
IPD50R500 - 500V COOLMOS N-CHANNInfineon Technologies -
IPD50R399CPBTMA1
LOW POWER_LEGACYInfineon Technologies -
IPD50R500CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R399CPATMA1
LOW POWER_LEGACYInfineon Technologies -
IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R380CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R500CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R520CPATMA1
LOW POWER_LEGACYInfineon Technologies -
IPD50R2K0CE
N-CHANNEL POWER MOSFET CEInfineon Technologies -
IPD50R3K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R280CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R3K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R2K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3Infineon Technologies -
IPD50R280CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252Infineon Technologies -
IPD50R500CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252Infineon Technologies -
IPD50R2K0CEBTMA1
CONSUMERInfineon Technologies