Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD50N08S413ATMA1
IPD50N08S413ATMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPD50N08S413ATMA1

Номер детали производителя IPD50N08S413ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Упаковка PG-TO252-3-313
В наличии 163403 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.631 $0.563 $0.439 $0.363 $0.286
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 163403 Infineon Technologies IPD50N08S413ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 33µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3-313
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.2mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 72W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1711 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Базовый номер продукта IPD50

Рекомендуемые продукты

IPD50N08S413ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация