IPD068N10N3GBTMA1
| Номер детали производителя | IPD068N10N3GBTMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3 |
| В наличии | 6518 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Dev EOL 20/Oct/2015 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6518 Infineon Technologies IPD068N10N3GBTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 90A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 150W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4910 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 90A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD068N |
Рекомендуемые продукты
-
IPD060N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD05N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P002NATMA1
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P003NATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD060N03LGINCT
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD068P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD068P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P003NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P002NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3Infineon Technologies -
IPD055N08NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD060N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD06P004NATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3Infineon Technologies -
IPD068N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD05N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies