IPD088N06N3GBTMA1
| Номер детали производителя | IPD088N06N3GBTMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3 |
| В наличии | 90331 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Cover Tape Width Update 17/Jun/2015OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018Mult Dev EOL 30/Jun/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 |
|---|
| $0.375 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 90331 Infineon Technologies IPD088N06N3GBTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 71W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3900 pF @ 30 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD088 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD075N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD088N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD090N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3Infineon Technologies -
IPD079N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P007NATMA1
MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD079N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD090N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P005NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD096N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-02-D-GP-R
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD088N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-02-D
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD075N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-02-D-GP-M
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD096N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-02-D-GP
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc.