IPD079N06L3GATMA1
Номер детали производителя | IPD079N06L3GATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3-311 |
В наличии | 181118 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.476 | $0.426 | $0.332 | $0.274 | $0.217 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 181118 Infineon Technologies IPD079N06L3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 34µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-311 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 50A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 79W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4900 pF @ 30 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD079N |
Рекомендуемые продукты
-
IPD088N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P007NATMA1
MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD075N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P005LATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD088N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD090N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P005NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P003NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P005LSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD088N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD075N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD090N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3Infineon Technologies -
IPD096N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3Infineon Technologies -
IPD096N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3Infineon Technologies -
IPD079N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P005NATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P004NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252Infineon Technologies -
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD06P004NATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3Infineon Technologies -
IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies