Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPD050N10N5ATMA1
IPD050N10N5ATMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPD050N10N5ATMA1

Номер детали производителя IPD050N10N5ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Упаковка PG-TO252-3
В наличии 66461 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chs 4/Oct/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$1.231 $1.105 $0.889 $0.73 $0.605
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 66461 Infineon Technologies IPD050N10N5ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.8V @ 84µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO252-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 40A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4700 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
Базовый номер продукта IPD050

Рекомендуемые продукты

IPD050N10N5ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация