IPD050N10N5ATMA1
Номер детали производителя | IPD050N10N5ATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3 |
В наличии | 66461 pcs |
Техническая спецификация | Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chs 4/Oct/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.231 | $1.105 | $0.889 | $0.73 | $0.605 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 66461 Infineon Technologies IPD050N10N5ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.8V @ 84µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 40A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 150W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4700 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD050 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD05N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD050N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPD04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD042P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD055N08NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD052N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3Infineon Technologies -
IPD042P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD046N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03L G
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD048N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD05N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD048N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies