IPD046N08N5ATMA1
Номер детали производителя | IPD046N08N5ATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3 |
В наличии | 68860 pcs |
Техническая спецификация | Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chs 4/Oct/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.979 | $0.881 | $0.708 | $0.582 | $0.482 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 68860 Infineon Technologies IPD046N08N5ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.8V @ 65µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 45A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3800 pF @ 40 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 90A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD046 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD048N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD042P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPD040N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31Infineon Technologies -
IPD038N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPD042P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N08NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD03N03LA G
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD039N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD052N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03L G
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD040N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD048N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies