IPD048N06L3GBTMA1
| Номер детали производителя | IPD048N06L3GBTMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3 |
| В наличии | 67191 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018Mult Dev EOL 30/Jun/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 |
|---|
| $0.509 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 67191 Infineon Technologies IPD048N06L3GBTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 58µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 90A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 115W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 8400 pF @ 30 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 90A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD048 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03L G
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD03N03LA G
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD048N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N08NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD040N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31Infineon Technologies -
IPD052N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD042P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD050N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPD04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD046N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD042P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies