IPD042P03L3GBTMA1
Номер детали производителя | IPD042P03L3GBTMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3-11 |
В наличии | 5155 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Halogen Free Upgrade 22/Aug/2013 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5155 Infineon Technologies IPD042P03L3GBTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 270µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-11 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 70A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 150W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 12400 pF @ 15 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 175 nC @ 10 V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 70A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD042P |
Рекомендуемые продукты
-
IPD048N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N08NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies -
IPD040N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31Infineon Technologies -
IPD038N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD03N03LA G
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD042P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD048N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD046N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD039N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD038N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPD04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03L G
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies