IPD025N06NATMA1
Номер детали производителя | IPD025N06NATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3 |
В наличии | 71356 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Mult Dev Wafer Site Add 1/Aug/2019 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.941 | $0.844 | $0.678 | $0.557 | $0.462 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 71356 Infineon Technologies IPD025N06NATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.8V @ 95µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 90A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3W (Ta), 167W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5200 pF @ 30 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 90A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD025 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD038N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD028N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPD031N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD039N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3Infineon Technologies -
IPD031N03M G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD036N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD035N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD036N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31Infineon Technologies -
IPD033N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD031N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3Infineon Technologies -
IPD029N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPD038N04NGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD023N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPD038N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPD03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD031N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD03N03LA G
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies