IPD031N06L3GATMA1
| Номер детали производителя | IPD031N06L3GATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3 |
| В наличии | 64928 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.152 | $1.036 | $0.833 | $0.684 | $0.567 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 64928 Infineon Technologies IPD031N06L3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 100A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 167W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD031 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD036N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31Infineon Technologies -
IPD025N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD039N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD031N03M G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD028N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPD034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3Infineon Technologies -
IPD031N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD029N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPD038N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD038N04NGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD031N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD035N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD023N04NF2SATMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
IPD038N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPD033N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD03N03LA G
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD036N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies