IPB50CN10NGATMA1
Номер детали производителя | IPB50CN10NGATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3 |
Упаковка | PG-TO263-3-2 |
В наличии | 4143 pcs |
Техническая спецификация | IPx50CN10N GPart Number GuideMultiple Devices 26/Jul/2012 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4143 Infineon Technologies IPB50CN10NGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 20A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 44W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1090 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
IPB48010A033V-001-R
DC DC CONVERTER 3.3V 33WTDK-Lambda Americas Inc -
IPB530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAKInfineon Technologies -
IPB50R140CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3Infineon Technologies -
IPB45P03P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB50R250CP
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB48007A050V-001-R
DC DC CONVERTER 5V 35WTDK-Lambda Americas Inc -
IPB47N10S33ATMA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3Infineon Technologies -
IPB48004A120V-001-R
DC DC CONVERTER 12V 42WTDK-Lambda Americas Inc -
IPB50R299CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3Infineon Technologies -
IPB50R250CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3Infineon Technologies -
IPB47N10SL-26
IPB47N10 - 75V-100V N-CHANNEL AUInfineon Technologies -
IPB48003A150V-001-R
DC DC CONVERTER 15V 41WTDK-Lambda Americas Inc -
IPB50R199CP
MOSFET N-CH 500V 17A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB50R199CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3Infineon Technologies -
IPB50N12S3L15ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+Infineon Technologies -
IPB45N06S4L08ATMA3
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A D2PAKInfineon Technologies -
IPB45P03P4L11ATMA2
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB47N10SL26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3Infineon Technologies