FQD17P06TM
| Номер детали производителя | FQD17P06TM |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| Упаковка | TO-252AA |
| В наличии | 197012 pcs |
| Техническая спецификация | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Postponed Qualification 27/Dec/2022Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 28/May/2023 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.409 | $0.366 | $0.286 | $0.236 | $0.186 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 197012 onsemi FQD17P06TM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±25V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252AA |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FQD17P06 |
Рекомендуемые продукты
-
FQD19N10TM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD16N25CTM
MOSFET N-CH 250V 16A DPAKonsemi -
FQD17N08LTM
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252onsemi -
FQD19N10LTF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD1N50TF
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAKonsemi -
FQD16N15TM
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD16N25CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD17N08LTF
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252Fairchild Semiconductor -
FQD18N20V2TM
MOSFET N-CH 200V 15A DPAKonsemi -
FQD19N10LTF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD17P06TF
MOSFET P-CH 60V 12A DPAKonsemi -
FQD17N08LTF
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252onsemi -
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAKonsemi -
FQD16N15TM
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKonsemi -
FQD16N25CTM_F080
MOSFET N-CH 250V 16A DPAKonsemi -
FQD19N10TM_F080
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD19N10TF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD19N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD16N15TF
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKonsemi