FQD19N10TM
| Номер детали производителя | FQD19N10TM |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Упаковка | TO-252, (D-Pak) |
| В наличии | 6743 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 6743 Fairchild Semiconductor FQD19N10TM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±25V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252, (D-Pak) |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 7.8A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 780 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 15.6A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FQD19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD1N50TM
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAKonsemi -
FQD1N60TF
MOSFET N-CH 600V 1A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD18N20V2TM
MOSFET N-CH 200V 15A DPAKonsemi -
FQD19N10LTF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAKonsemi -
FQD1N60CTF
MOSFET N-CH 600V 1A DPAKonsemi -
FQD19N10TM_F080
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD17N08LTM
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252onsemi -
FQD1N60CTM
MOSFET N-CH 600V 1A DPAKonsemi -
FQD17N08LTF
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252Fairchild Semiconductor -
FQD19N10LTF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD1N50TM
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD19N10TF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD19N10TM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD1N60TF
MOSFET N-CH 600V 1A DPAKonsemi -
FQD17P06TF
MOSFET P-CH 60V 12A DPAKonsemi -
FQD1N50TF
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAKonsemi -
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAKonsemi -
FQD1N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor