FQD13N06LTM
| Номер детали производителя | FQD13N06LTM |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Упаковка | TO-252AA |
| В наличии | 6053 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 6053 Fairchild Semiconductor FQD13N06LTM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252AA |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 5.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.4 nC @ 5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FQD12P10TF
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD12P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD12N20TM_F080
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD13N06TM
MOSFET N-CH 60V 10A DPAKonsemi -
FQD13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD13N10TF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD13N10LTM_NBEL001
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD12N20TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FQD12N20TF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD13N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252Fairchild Semiconductor -
FQD13N06TF
MOSFET N-CH 60V 10A DPAKonsemi -
FQD12N20TF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD13N10LTF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD13N10LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N06LTF
MOSFET N-CH 60V 11A DPAKonsemi -
FQD12N20TM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD13N10TM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 11A DPAKonsemi