FQD12P10TM-F085
| Номер детали производителя | FQD12P10TM-F085 |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252 |
| Упаковка | TO-252AA |
| В наличии | 190593 pcs |
| Техническая спецификация | FQD12P10TM_F085Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Description Chg 01/Apr/2016Mult Device Part Number Chg 30/May/2017Wafer Production 09/Jan/2023Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHS |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.44 | $0.394 | $0.307 | $0.254 | $0.2 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 190593 onsemi FQD12P10TM-F085 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252AA |
| Серии | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 4.7A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9.4A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FQD12P10 |
Рекомендуемые продукты
-
FQD13N06TF
MOSFET N-CH 60V 10A DPAKonsemi -
FQD12N20LTM-F085P
MOSFET N-CH 200V 9A TO252onsemi -
FQD12P10TF
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD13N10TF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD13N06LTF
MOSFET N-CH 60V 11A DPAKonsemi -
FQD13N06LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 11A DPAKonsemi -
FQD13N10LTF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252Fairchild Semiconductor -
FQD12N20TM_F080
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20TF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD13N06TM
MOSFET N-CH 60V 10A DPAKonsemi -
FQD12N20TF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD12N20TM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD13N10LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD12N20LTM_SN00173
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD13N10LTM_NBEL001
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi