FQD1N50TF
| Номер детали производителя | FQD1N50TF |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK |
| Упаковка | TO-252AA |
| В наличии | 3811 pcs |
| Техническая спецификация | FQD1N50, FQU1N50onsemi REACHonsemi RoHS |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 3811 onsemi FQD1N50TF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252AA |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 550mA, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 500 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.1A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FQD1 |
Рекомендуемые продукты
-
FQD1N80TF
MOSFET N-CH 800V 1A DPAKonsemi -
FQD19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD19N10TM_F080
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD19N10TF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD1N50TM
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAKonsemi -
FQD19N10LTF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD19N10LTF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD1N60CTF
MOSFET N-CH 600V 1A DPAKonsemi -
FQD19N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD1N60CTM
MOSFET N-CH 600V 1A DPAKonsemi -
FQD1N60TM
MOSFET N-CH 600V 1A DPAKonsemi -
FQD1N50TM
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAKonsemi -
FQD1N60TF
MOSFET N-CH 600V 1A DPAKonsemi -
FQD1N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD1N60TM
MOSFET N-CH 600V 1A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD18N20V2TM
MOSFET N-CH 200V 15A DPAKonsemi -
FQD1N60TF
MOSFET N-CH 600V 1A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAKonsemi -
FQD19N10TM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi