FQD13N06TM
| Номер детали производителя | FQD13N06TM |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK |
| Упаковка | TO-252AA |
| В наличии | 345593 pcs |
| Техническая спецификация | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Obsolete Notice 30/Jun/2022onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev Site Add 14/Oct/2020FQD13N06 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.252 | $0.222 | $0.17 | $0.134 | $0.107 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 345593 onsemi FQD13N06TM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±25V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252AA |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 310 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FQD13N06 |
Рекомендуемые продукты
-
FQD12N20TM_F080
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD13N06LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 11A DPAKonsemi -
FQD12P10TF
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD13N06LTF
MOSFET N-CH 60V 11A DPAKonsemi -
FQD13N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD13N10TM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD13N06TF
MOSFET N-CH 60V 10A DPAKonsemi -
FQD13N10TF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD13N10LTF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD12N20TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252Fairchild Semiconductor -
FQD16N15TM
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKonsemi -
FQD16N15TF
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKonsemi -
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD14N15TM
MOSFET N-CH 150V 10A DPAKonsemi -
FQD13N10LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD12P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD13N10LTM_NBEL001
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi