FQD13N10LTM
| Номер детали производителя | FQD13N10LTM |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Упаковка | TO-252, (D-Pak) |
| В наличии | 3862 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 3862 Fairchild Semiconductor FQD13N10LTM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252, (D-Pak) |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 520 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252Fairchild Semiconductor -
FQD16N25CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N10TF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD16N15TM
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD14N15TM
MOSFET N-CH 150V 10A DPAKonsemi -
FQD12P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD16N15TF
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKonsemi -
FQD13N10TM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD13N06TF
MOSFET N-CH 60V 10A DPAKonsemi -
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD13N06TM
MOSFET N-CH 60V 10A DPAKonsemi -
FQD13N06LTF
MOSFET N-CH 60V 11A DPAKonsemi -
FQD13N06LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 11A DPAKonsemi -
FQD13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD16N15TM
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKonsemi -
FQD13N10LTM_NBEL001
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD13N10LTF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD12P10TF
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD13N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor