FDB050AN06A0
| Номер детали производителя | FDB050AN06A0 |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK |
| Упаковка | D²PAK (TO-263) |
| В наличии | 48163 pcs |
| Техническая спецификация | Description Chg 01/Apr/2016TO263 31/Aug/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023FDB050AN06A0, FDP050AN06A0 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $1.047 | $0.942 | $0.757 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 48163 onsemi FDB050AN06A0 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D²PAK (TO-263) |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 80A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 245W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Ta), 80A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FDB050 |
Рекомендуемые продукты
-
FDB070AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB0630N1507L
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7onsemi -
FDB047N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB075N15A_SN00284
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB045AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB035N10A
FDB035N10A - N-CHANNEL POWERTRENFairchild Semiconductor -
FDB075N15A-F085
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAKonsemi -
FDB050AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB047N10
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAKonsemi -
FDB045AN08A0
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAKonsemi -
FDB070AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 15A TO263ABonsemi -
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263ABonsemi -
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7onsemi -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263onsemi -
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB082N15A
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAKonsemi -
FDB060AN08A0
MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAKonsemi