FDB047N10
| Номер детали производителя | FDB047N10 |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Упаковка | D2PAK (TO-263) |
| В наличии | 4526 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 4526 Fairchild Semiconductor FDB047N10 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D2PAK (TO-263) |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 75A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 375W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 15265 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 120A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDB045AN08A0
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAKonsemi -
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7onsemi -
FDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAKonsemi -
FDB035N10A
FDB035N10A - N-CHANNEL POWERTRENFairchild Semiconductor -
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB050AN06A0
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAKonsemi -
FDB050AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB070AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 15A TO263ABonsemi -
FDB075N15A-F085
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAKonsemi -
FDB070AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263ABonsemi -
FDB0630N1507L
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7onsemi -
FDB035AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDB045AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB060AN08A0
MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAKonsemi -
FDB047N10
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263onsemi -
FDB035AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAKonsemi