FDB13AN06A0
| Номер детали производителя | FDB13AN06A0 |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 |
| Упаковка | D2PAK (TO-263) |
| В наличии | 6027 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 6027 Fairchild Semiconductor FDB13AN06A0 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D2PAK (TO-263) |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 62A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 115W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10.9A (Ta), 62A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDB12N50TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB150N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB12N50UTM_WS
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKonsemi -
FDB120N10
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAKonsemi -
FDB150N10
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAKonsemi -
FDB12N50FTM-WS
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKonsemi -
FDB14N30TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB110N15A
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAKonsemi -
FDB12N50FTM
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB12N50TM
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKonsemi -
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263ABonsemi -
FDB14N30TM
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAKonsemi -
FDB120N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Fairchild Semiconductor -
FDB14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 67A TO263ABonsemi -
FDB110N15A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FDB15N50_NL
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAKonsemi -
FDB12N50UTM
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB15N50
MOSFET N-CH 500V 15A D2PAKonsemi