FDB024N06
| Номер детали производителя | FDB024N06 |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Упаковка | D²PAK (TO-263) |
| В наличии | 5303 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 5303 Fairchild Semiconductor FDB024N06 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D²PAK (TO-263) |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 75A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 395W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 14885 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 226 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 120A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDB0165N807L
MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7onsemi -
FDB016N04AL7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB0170N607L
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7onsemi -
FDB0190N807L
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7onsemi -
FDB024N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB0170N607L
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7onsemi -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB024N04AL7
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB016N04AL7
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7onsemi -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB024N08BL7
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7onsemi -
FDB031N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB0300N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi -
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi -
FDB0105N407L
MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7onsemi -
FDB024N04AL7
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7onsemi -
FDB-S
CONN PRESSURE BLOOK FOR SKTHirose Electric Co Ltd