FDB0300N1007L
| Номер детали производителя | FDB0300N1007L |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 |
| Упаковка | TO-263-7 |
| В наличии | 26843 pcs |
| Техническая спецификация | Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023FDB0300N1007L Datasheet |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $2.342 | $2.105 | $1.725 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 26843 onsemi FDB0300N1007L в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-263-7 |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 26A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 8295 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 113 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 200A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FDB0300 |
Рекомендуемые продукты
-
FDB045AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB045AN08A0
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAKonsemi -
FDB024N04AL7
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7onsemi -
FDB035AN06A0
MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAKonsemi -
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB035AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAKonsemi -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB024N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263onsemi -
FDB024N08BL7
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7onsemi -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7onsemi -
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB035AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FDB035N10A
FDB035N10A - N-CHANNEL POWERTRENFairchild Semiconductor -
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7onsemi -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB024N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB031N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKonsemi