FDB0630N1507L
| Номер детали производителя | FDB0630N1507L |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
| Упаковка | TO-263-7 |
| В наличии | 17741 pcs |
| Техническая спецификация | Description Chg 01/Apr/2016TO263 31/Aug/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023FDB0630N1507L |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $2.56 | $2.312 | $1.915 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 17741 onsemi FDB0630N1507L в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-263-7 |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 18A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 9895 pF @ 75 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 150 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 130A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FDB0630 |
Рекомендуемые продукты
-
FDB075N15A_SN00284
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB050AN06A0
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAKonsemi -
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7onsemi -
FDB050AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB088N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB088N08
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKonsemi -
FDB047N10
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKonsemi -
FDB060AN08A0
MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAKonsemi -
FDB082N15A
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAKonsemi -
FDB045AN08A0
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAKonsemi -
FDB047N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAKonsemi -
FDB045AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263ABonsemi -
FDB070AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263onsemi -
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB075N15A-F085
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAKonsemi -
FDB070AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 15A TO263ABonsemi