FDB12N50TM
| Номер детали производителя | FDB12N50TM |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Упаковка | D2PAK (TO-263) |
| В наличии | 5585 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 5585 Fairchild Semiconductor FDB12N50TM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D2PAK (TO-263) |
| Серии | UniFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 165W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1315 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 500 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDB120N10
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAKonsemi -
FDB12N50FTM-WS
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKonsemi -
FDB088N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB088N08_F141
MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAKonsemi -
FDB14N30TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB14N30TM
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAKonsemi -
FDB12N50UTM_WS
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKonsemi -
FDB150N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263ABonsemi -
FDB110N15A
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAKonsemi -
FDB110N15A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FDB14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 67A TO263ABonsemi -
FDB12N50UTM
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB12N50TM
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKonsemi -
FDB120N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7Fairchild Semiconductor -
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB12N50FTM
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB13AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Fairchild Semiconductor -
FDB10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263ABonsemi -
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAKonsemi