Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIA430DJT-T4-GE3
Vishay Siliconix

SIA430DJT-T4-GE3

Номер детали производителя SIA430DJT-T4-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
Упаковка PowerPAK® SC-70-6
В наличии 663882 pcs
Техническая спецификация SIA430DJT
Справочная цена (В долларах США)
6000
$0.072
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 663882 Vishay Siliconix SIA430DJT-T4-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SC-70-6
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SC-70-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 800 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta), 12A (Tc)
Базовый номер продукта SIA430

Рекомендуемые продукты

SIA430DJT-T4-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация