SIA430DJT-T4-GE3
Номер детали производителя | SIA430DJT-T4-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay Siliconix |
Подробное описание | MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK |
Упаковка | PowerPAK® SC-70-6 |
В наличии | 663882 pcs |
Техническая спецификация | SIA430DJT |
Справочная цена (В долларах США)
6000 |
---|
$0.072 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 663882 Vishay Siliconix SIA430DJT-T4-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SC-70-6 |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 7A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
Упаковка / | PowerPAK® SC-70-6 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 800 pF @ 10 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Ta), 12A (Tc) |
Базовый номер продукта | SIA430 |
Рекомендуемые продукты
-
SIA4371EDJ-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIA439EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA4263DJ-T1-GE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIA433EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA425EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA427DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA430DJT-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA426DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA438EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA436DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA436DJ-T4-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA430DJ-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAKVishay Siliconix -
SIA431DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA430DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA437DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70Vishay Siliconix -
SIA432DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA427ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA4265EDJ-T1-GE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix