Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIA417DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA417DJ-T1-GE3

Номер детали производителя SIA417DJ-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Упаковка PowerPAK® SC-70-6
В наличии 6165 pcs
Техническая спецификация SIA417DJPCN- SIL-0722014 10/Jun/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6165 Vishay Siliconix SIA417DJ-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±5V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SC-70-6
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SC-70-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1600 pF @ 4 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 32 nC @ 5 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 8 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Tc)
Базовый номер продукта SIA417

Рекомендуемые продукты

SIA417DJ-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIA417DJ-T1-GE3

Связанные детали для SIA417DJ-T1-GE3