SIA450DJ-T1-GE3
Номер детали производителя | SIA450DJ-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay Siliconix |
Подробное описание | MOSFET N-CH 240V 1.52A PPAK |
Упаковка | PowerPAK® SC-70-6 |
В наличии | 4161 pcs |
Техническая спецификация | SIL-0632014 16/Apr/2014SIA450DJ |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4161 Vishay Siliconix SIA450DJ-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SC-70-6 |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9Ohm @ 700mA, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3.3W (Ta), 15W (Tc) |
Упаковка / | PowerPAK® SC-70-6 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 167 pF @ 120 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 7.04 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 240 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.52A (Tc) |
Базовый номер продукта | SIA450 |
Рекомендуемые продукты
-
SIA465EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA448DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA467EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA462DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA456DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70Vishay Siliconix -
SIA462DJ-T4-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A/12A PPAKVishay Siliconix -
SIA447DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA449DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA456DJ-T3-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAKVishay Siliconix -
SIA453EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA461DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA445EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA445EDJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA444DJT-T4-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A/12A PPAKVishay Siliconix -
SIA450DJ-T1-E3
MOSFET N-CH 240V 1.52A PPAKVishay Siliconix -
SIA459EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA444DJT-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA443DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA466EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA446DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70Vishay Siliconix