SIA445EDJ-T1-GE3
| Номер детали производителя | SIA445EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 |
| Упаковка | PowerPAK® SC-70-6 |
| В наличии | 445415 pcs |
| Техническая спецификация | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015SiA445EDJ |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.242 | $0.215 | $0.165 | $0.13 | $0.104 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 445415 Vishay Siliconix SIA445EDJ-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±12V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SC-70-6 |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 7A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® SC-70-6 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2130 pF @ 10 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIA445 |
Рекомендуемые продукты
-
SIA438EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA453EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA448DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA447DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA456DJ-T3-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAKVishay Siliconix -
SIA437DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70Vishay Siliconix -
SIA449DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA4371EDJ-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIA456DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70Vishay Siliconix -
SIA443DJ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA450DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 240V 1.52A PPAKVishay Siliconix -
SIA450DJ-T1-E3
MOSFET N-CH 240V 1.52A PPAKVishay Siliconix -
SIA439EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA444DJT-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA443DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA444DJT-T4-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A/12A PPAKVishay Siliconix -
SIA446DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70Vishay Siliconix -
SIA445EDJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix