SIA411DJ-T1-GE3
| Номер детали производителя | SIA411DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 |
| Упаковка | PowerPAK® SC-70-6 |
| В наличии | 5124 pcs |
| Техническая спецификация | SIL-0632014 16/Apr/2014SiA411DJ |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5124 Vishay Siliconix SIA411DJ-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±8V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SC-70-6 |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® SC-70-6 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1200 pF @ 10 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 38 nC @ 8 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIA411 |
Рекомендуемые продукты
-
SIA408DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA419DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA417DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA413ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA110DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAKVishay Siliconix -
SIA112LDJ-T1-GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIA4265EDJ-T1-GE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIA425EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA4263DJ-T1-GE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIA414DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA413DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA418DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA406DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA400EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA106DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAKVishay Siliconix -
SIA108DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAKVishay Siliconix -
SIA415DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA421DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA411DJ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA416DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAKVishay Siliconix