Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIA425EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA425EDJ-T1-GE3

Номер детали производителя SIA425EDJ-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Упаковка PowerPAK® SC-70-6
В наличии 4699 pcs
Техническая спецификация SIA425EDJMultiple Devices 14/Mar/2018
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4699 Vishay Siliconix SIA425EDJ-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SC-70-6
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SC-70-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.5A (Tc)
Базовый номер продукта SIA425

Рекомендуемые продукты

SIA425EDJ-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIA425EDJ-T1-GE3

Связанные детали для SIA425EDJ-T1-GE3