Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIA110DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA110DJ-T1-GE3

Номер детали производителя SIA110DJ-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Упаковка PowerPAK® SC-70-6
В наличии 242326 pcs
Техническая спецификация SIA110DJ
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.331 $0.294 $0.229 $0.19 $0.15
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 242326 Vishay Siliconix SIA110DJ-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SC-70-6
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SC-70-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 550 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Базовый номер продукта SIA110

Рекомендуемые продукты

SIA110DJ-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIA110DJ-T1-GE3

Связанные детали для SIA110DJ-T1-GE3