RN1107ACT(TPL3)
Номер детали производителя | RN1107ACT(TPL3) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Подробное описание | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 |
Упаковка | CST3 |
В наличии | 1941412 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
---|---|---|---|---|---|---|
$0.136 | $0.1 | $0.057 | $0.038 | $0.029 | $0.025 | $0.023 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1941412 Toshiba Semiconductor and Storage RN1107ACT(TPL3) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50 V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
Поставщик Упаковка устройства | CST3 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 47 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 10 kOhms |
Мощность - Макс | 100 mW |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка / | SC-101, SOT-883 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 80 mA |
Базовый номер продукта | RN1107 |
Рекомендуемые продукты
-
RN1106CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1106MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BERToshiba Semiconductor and Storage -
RN1107,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1108CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1106,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1108,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1109(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1106,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7KToshiba Semiconductor and Storage -
RN1106ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1107CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1107MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1108MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1107,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1108ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1106MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1106MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1108(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1106MFV(TL3,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1107MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1108,LXHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22K, Q1BER=Toshiba Semiconductor and Storage