Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > RN1106ACT(TPL3)
RN1106ACT(TPL3) Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN1106ACT(TPL3)

Номер детали производителя RN1106ACT(TPL3)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Упаковка CST3
В наличии 4299 pcs
Техническая спецификация Multi Device Obs Oct/2015
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 4299 Toshiba Semiconductor and Storage RN1106ACT(TPL3) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства CST3
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 47 kOhms
Резистор - основание (R1) 4.7 kOhms
Мощность - Макс 100 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SC-101, SOT-883
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 80 mA
Базовый номер продукта RN1106

Рекомендуемые продукты

RN1106ACT(TPL3) DataSheet PDF

Техническая спецификация