Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > RN1104MFV,L3F
RN1104MFV,L3F Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN1104MFV,L3F

Номер детали производителя RN1104MFV,L3F
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Упаковка VESM
В наличии 775417 pcs
Техническая спецификация RN1101-6MFVMarking Chg 08/Feb/2016
Справочная цена (В долларах США)
1
$0.061
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 775417 Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV,L3F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства VESM
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 47 kOhms
Резистор - основание (R1) 47 kOhms
Мощность - Макс 150 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SOT-723
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта RN1104

Рекомендуемые продукты

RN1104MFV,L3F DataSheet PDF

Техническая спецификация