Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > RN1109MFV,L3F
RN1109MFV,L3F Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN1109MFV,L3F

Номер детали производителя RN1109MFV,L3F
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Упаковка VESM
В наличии 5773 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 5773 Toshiba Semiconductor and Storage RN1109MFV,L3F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства VESM
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 22 kOhms
Резистор - основание (R1) 47 kOhms
Мощность - Макс 150 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SOT-723
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта RN1109

Рекомендуемые продукты

RN1109MFV,L3F DataSheet PDF