RN1109ACT(TPL3)
| Номер детали производителя | RN1109ACT(TPL3) |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Подробное описание | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 |
| Упаковка | CST3 |
| В наличии | 4480 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 4480 Toshiba Semiconductor and Storage RN1109ACT(TPL3) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50 V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства | CST3 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 22 kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 47 kOhms |
| Мощность - Макс | 100 mW |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Упаковка / | SC-101, SOT-883 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Тип установки | Surface Mount |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 80 mA |
| Базовый номер продукта | RN1109 |
Рекомендуемые продукты
-
RN1110(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1108CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1110,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7KToshiba Semiconductor and Storage -
RN1108,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1108ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1107MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1109,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1108MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1111,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1108(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1110,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1109MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1109CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1109,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1108,LXHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22K, Q1BER=Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1110CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1109(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1111,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1110ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1110MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage