RN1104MFV,L3XHF(CT
Номер детали производителя | RN1104MFV,L3XHF(CT |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Подробное описание | AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=47K, Q1BER= |
Упаковка | VESM |
В наличии | 1918510 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.125 | $0.102 | $0.054 | $0.035 | $0.024 | $0.022 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1918510 Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV,L3XHF(CT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50 V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
Поставщик Упаковка устройства | VESM |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 47 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 47 kOhms |
Мощность - Макс | 150 mW |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка / | SOT-723 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
Базовый номер продукта | RN1104 |
Рекомендуемые продукты
-
RN1104ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1104,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1105ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1104,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1105CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1104MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1106,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7KToshiba Semiconductor and Storage -
RN1105,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=2.2KToshiba Semiconductor and Storage -
RN1104T5LFT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1103MFV(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1104MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1105,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1103MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1104CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1103MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1103MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22K, Q1BER=Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1105MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1105MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1105MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BERToshiba Semiconductor and Storage -
RN1106,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage