Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > RN1104MFV,L3XHF(CT
RN1104MFV,L3XHF(CT Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN1104MFV,L3XHF(CT

Номер детали производителя RN1104MFV,L3XHF(CT
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=47K, Q1BER=
Упаковка VESM
В наличии 1918510 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.125 $0.102 $0.054 $0.035 $0.024 $0.022
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1918510 Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV,L3XHF(CT в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства VESM
Серии Automotive, AEC-Q101
Резистор - основание эмиттера (R2) 47 kOhms
Резистор - основание (R1) 47 kOhms
Мощность - Макс 150 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SOT-723
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта RN1104

Рекомендуемые продукты

RN1104MFV,L3XHF(CT DataSheet PDF