FQD10N20LTM
| Номер детали производителя | FQD10N20LTM |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252 |
| Упаковка | D-Pak |
| В наличии | 82603 pcs |
| Техническая спецификация | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi RoHSMult Dev Site Add 14/Oct/2020FQD10N20L |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 |
|---|---|
| $0.457 | $0.41 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 82603 onsemi FQD10N20LTM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D-Pak |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3.8A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 51W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 830 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 17 nC @ 5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 7.6A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FQD10N20 |
Рекомендуемые продукты
-
FQD12N20LTM_SN00173
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAKonsemi -
FQD11P06TM
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAKonsemi -
FQD12N20LTM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20LTM-F085P
MOSFET N-CH 200V 9A TO252onsemi -
FQD12N20LTF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD10N20TM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAKonsemi -
FQD12N20LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FQD12P10TF
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD12N20TF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20TM_F080
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD10N20CTM_F080
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAKonsemi -
FQD10N20LTF
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252onsemi -
FQD12N20TM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD11P06TF
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAKonsemi -
FQD10N20CTF
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAKonsemi -
FQD10N20TF
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAKonsemi -
FQD12N20LTM-F085
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKonsemi -
FQD12N20TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FQD12N20TF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAKFairchild Semiconductor