FDB20AN06A0
| Номер детали производителя | FDB20AN06A0 |
|---|---|
| производитель | Fairchild Semiconductor |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB |
| Упаковка | D2PAK (TO-263) |
| В наличии | 157620 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 503 |
|---|
| $0.233 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Fairchild Semiconductor.У нас есть кусочки 157620 Fairchild Semiconductor FDB20AN06A0 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D2PAK (TO-263) |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 45A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 90W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Bulk |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 950 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Ta), 45A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
FDB15N50_NL
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FDB24AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263ABonsemi -
FDB2570
MOSFET N-CH 150V 22A TO263ABonsemi -
FDB15N50
MOSFET N-CH 500V 15A D2PAKonsemi -
FDB16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAKonsemi -
FDB14N30TM
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAKonsemi -
FDB150N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FDB14N30TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB2552-F085
MOSFET N CH 150V 5A TO-263ABonsemi -
FDB2532
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDB2532-F085
MOSFET N-CH 150V 79A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB20AN06A0
MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263ABonsemi -
FDB2552
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263ABonsemi -
FDB2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAKonsemi -
FDB20N50F
MOSFET N-CH 500V 20A D2PAKonsemi -
FDB1D7N10CL7
MOSFET N-CH 100V 268A D2PAKonsemi -
FDB2532-F085
MOSFET N-CH 150V 79A TO263ABonsemi -
FDB24AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB150N10
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAKonsemi