IPD80R360P7ATMA1
| Номер детали производителя | IPD80R360P7ATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3 |
| В наличии | 85963 pcs |
| Техническая спецификация | Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Leadframe Chgs 9/Jun/2020Mult Dev Leadframe Rev 30/Jun/2020CoolMOS A/T Chgs 4/Mar/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.092 | $0.98 | $0.787 | $0.647 | $0.536 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 85963 Infineon Technologies IPD80R360P7ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
| Серии | CoolMOS™ P7 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 84W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 930 pF @ 500 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 800 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 13A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD80R |
Рекомендуемые продукты
-
IPD80R2K7C3AATMA1
MOSFET N-CH TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R2K8CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252Infineon Technologies -
IPD80R4K5P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD80R900P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4P7
800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,Infineon Technologies -
IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252Infineon Technologies -
IPD80R900P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252Infineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252Infineon Technologies -
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Infineon Technologies