IPD90N04S304ATMA1
| Номер детали производителя | IPD90N04S304ATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3-11 |
| В наличии | 106505 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
Справочная цена (В долларах США)
| 2500 | 5000 |
|---|---|
| $0.422 | $0.406 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 106505 Infineon Technologies IPD90N04S304ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-11 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 80A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 136W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5200 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 90A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD90 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD900P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252Infineon Technologies -
IPD90N06S4-07ATMA2
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD90N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P4L06ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R900P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD90N04S40-4ATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD90N04S3H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P4L06ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S405ATMA1
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N06S404ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N06S404ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31Infineon Technologies -
IPD80R900P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S3-04
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD90N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies