IPD78CN10NGATMA1
| Номер детали производителя | IPD78CN10NGATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3 |
| В наличии | 241106 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.358 | $0.32 | $0.25 | $0.206 | $0.163 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 241106 Infineon Technologies IPD78CN10NGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 31W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 716 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 13A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD78CN10 |
Рекомендуемые продукты
-
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R600CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R2K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80P03P4L07ATMA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD75N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R950CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31Infineon Technologies -
IPD800N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3Infineon Technologies -
IPD75N04S4-06
IPD75N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPD75N04S406
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD80N04S306BATMA1
MOSFET N-CHANNEL_30/40VInfineon Technologies -
IPD80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80N04S3-06
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD80R1K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD78CN10NG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
IPD78CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3Infineon Technologies