IPD80R2K8CEBTMA1
Номер детали производителя | IPD80R2K8CEBTMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3-11 |
В наличии | 6322 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Halogen Part Status Rev 5/Aug/2016 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6322 Infineon Technologies IPD80R2K8CEBTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-11 |
Серии | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 1.1A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 42W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 290 pF @ 100 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 800 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.9A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD80R |
Рекомендуемые продукты
-
IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252Infineon Technologies -
IPD80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4P7
800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,Infineon Technologies -
IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R4K5P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252Infineon Technologies -
IPD80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252Infineon Technologies -
IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252Infineon Technologies -
IPD80R2K7C3AATMA1
MOSFET N-CH TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R900P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R900P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3Infineon Technologies